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三星将为特斯拉代工下一代FSD芯片 3nm制程良率提升

《韩国经济日报》报道称,三星将可能与特斯拉合作生产下一代全自动驾驶芯片。此前有消息称,三星3nm工艺的良率已经大幅提升至60%。

三星将为特斯拉代工下一代FSD芯片 3nm制程良率提升


三星总裁李在镕在今年5月与特斯拉首席执行官马斯克举行会谈后,有消息称双方的合作将会加深,相关消息表明三星可能会加入特斯拉下一代自动驾驶芯片的生产,以对应Level 5全自动驾驶功能。

在此之前,特斯拉只与台积电合作生产自动驾驶芯片,但有可能同时与台积电和三星合作。

三星将为特斯拉代工下一代FSD芯片 3nm制程良率提升


马斯克此外,相关消息还指称三星不断提高其3nm工艺良率,这可能会吸引英伟达、高通和其他运营商采用。三星预计在2025年推广2nm SF2制程技术,并计划在2027年推广1.4nm SF1.4制程技术。

但在目前主流的4nm工艺中,台积电的良品率达到80%,而三星的4nm工艺良品率已经提升到75%,但仍有一定差距

此前有消息称,三星的3纳米芯片制造产量已经超过台积电。报道称,三星3纳米芯片制造工艺的良品率为60%。相比之下,台积电的3纳米芯片成品率约为55%。这意味着三星终于在超先进的芯片制造技术上击败了台积电。由于台积电在3纳米领域落后于三星的代工,三星可能会赢回在4纳米和5纳米工艺上输给台积电的客户。

据说英伟达和高通对三星制造的第二代3nm(SF3)工艺感兴趣,因为台积电的大部分芯片产能都被苹果预订了。此外,台积电日本和美国工厂生产的芯片成本预计将分别比其中国台湾省芯片厂高出15%和30%。因此,更高的成本和更低的产能相结合,可能会使英伟达、高通等公司考虑三星的OEM 3nm芯片制造工艺。

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